MIT携手斯坦福打造集成处理器和内存的3D晶片

MIT携手斯坦福打造集成处理器和内存的3D晶片

为了追赶摩尔定律,麻省理工与斯坦福两所大学的计算机科学家和电气工程师们,携手开发出了一种集成了内存和处理器、并採用碳纳米管线来连接的3D计算晶片。该团队制造了一台小规模的碳纳米管(CNT)计算机,它能够运行程序、简单的多任务作业系统、以及执行MIPS指令。项目领导人MaxShulaker

相信,该技术能够克服逻辑电路和内存之间的通讯瓶颈。

CNT晶片渲染图,各层之间通过纳米导线来通讯。

当前工程师们所面临的一个问题,就是日益增长的处理器(或存储)性能、与不断往返的大量数据传输之间的矛盾。即使当前最快的CPU和RAM,仍受制于传统的并行总线架构。

而斯坦福/麻省理工研究团队的3D晶片,则交错布置着逻辑与内存层。这项技术不仅已被证实可行,也从根本上改变了电晶体的装配方式。

该晶片并未採用硅来制作电晶体,而是石墨烯;更确切的说,其中的碳纳米管也是由石墨烯制造的——它们被称作「碳纳米管场效应电晶体」(CNFET),且在晶片上提供了逻辑层。

处理器上的其它层是「可变电阻式内存」(RRAM),它通过改变固体介质材料的电阻来工作。研究合着者H.-S.PhilipWong表示:「与DRAM相比,RRAM的密度、速度和能效都可以更高」。

有关这项研究的详情,已经发表在近日出版的《自然》(Nature)期刊上。

[编译自:TechSpot]